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SiR468DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
60
V GS = 10 thru 4 V
1.2
1.0
50
0. 8
40
V GS = 3 V
0.6
T C = 25 °C
30
0.4
20
10
0
0.2
0.0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.00 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.007
V GS = 4.5 V
1 8 00
C iss
0.006
1200
0.005
V GS = 10 V
0.004
0.003
600
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
70
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V DS = 15 V
I D = 20 A
8
6
V DS = 7.5 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 22.5 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
6
12
1 8
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68824
S-82287-Rev. B, 22-Sep-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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